随着工艺制造等技术的发展，现在NAND闪存的容量越来越大了，而且现在的TLC颗粒寿命也已经有不错的表现了。所以现在为了更大的容量，多层堆叠的TLC颗粒已经成为当前市场的主流，甚至QLC也逐渐在市场上铺开。但SLC等技术依旧有着应用前景，在去年的闪存峰会中，东芝公布了XL-FLASH技术，到今年，东芝将会公布包括量产等信息。
图片来自Anandtech
根据Anandtech的报道，东芝首片XL-FLASH将使用128Gb的裸片，并且分割成16个平面以提供相对于现在面向容量的3DNAND闪存更强的并行性。XL-FLASH闪存的页面大小为4KB，也明显小于当前大多数3DNAND闪存，不过由于XL-FLASH的单元只存储1位而不是像现在TLC或QLC存储3为或4位，所以小页面大小也是正常的。同时东芝到目前也没有透露擦除块大小，但应该是要比目前大容量NAND闪存要更小的。
性能是东芝推出XL-FLASH的关键，东芝称其读取延迟小于5微秒，而相比之下3DTLC约为50微秒。这个提升还是很大的。
而且在本届闪存峰会上，Memblaze也展示了首款采用XL-FLASH闪存的超低延迟SSD，并且将于英特尔的傲腾及三星的Z-NAND闪存进行竞争。根据Anandtech的报道，Memblaze也采用了公司专有的SSD控制器与XL-FLASH搭配。而且其声称PBlaze5X26系列SSD拥有低于10微秒的4K随机写入延迟和平局低至26微秒的4K回合读写延迟。虽然相比英特尔的傲腾SSD还是要高一些，但售价应该要相对便宜一些。
图片来自Anandtech
虽然当前的3DNAND闪存在顺序读写及容量上有了非常大的提升，但随机性能等方面依旧有很大进步空间。英特尔已经推出了基于3DXpoint的傲腾SSD，三星也推出了Z-NAND闪存，提供更低的延迟及更好的性能表现。现在东芝也加入到高性能NAND芯片的研发生产中，未来高性能SSD市场竞争会更加激烈。
